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NE722S01-T1

功能描述：射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET

RoHS：否

制造商：TriQuint Semiconductor

技术类型：pHEMT

频率：500 MHz to 3 GHz

增益：10 dB

噪声系数：

正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S

漏源电压 VDS：

闸/源击穿电压：- 8 V

漏极连续电流：3 A

最大工作温度：+ 150 C

功率耗散：10 W

安装风格：

封装 / 箱体：

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